Bipolar transistors data tables / Transistoren Datentabellen

BCY14

Si NPN Transistor


OEM: Siemens AG
SH/RD8,6X10,5@CBE
Uce/Ucb: 100/100V
Ic: 0.2A
β (Ic/Ib): >8
N: 450mW
F/max: 0.4MHz
Tmax: 150°C
the BCY14 is a silicon NPN transistor preferred for use in AF amplifier and switch applications especially in high temperature areas
Source: SH Halbleiter DB 1962
Datasheet: BCY14 datasheet (jpg)

BCY15

Si NPN Transistor


OEM: Siemens AG
SH/RD8,6X10,5@CBE
Uce/Ucb: 60/60V
Ic: 0.3A
β (Ic/Ib): >8
N: 450mW
F/max: 0.4MHz
Tmax: 150°C
the BCY15 is a silicon NPN transistor preferred for use in AF amplifier and switch applications especially in high temperature areas
Source: SH Halbleiter DB 1962
Datasheet: BCY15 datasheet (jpg)
starting with:

BA..BZ

back forw

BCY16

Si NPN Transistor


OEM: Siemens AG
SH/RD8,6X10,5@CBE
Uce/Ucb: 100/100V
Ic: 0.3A
β (Ic/Ib): >8
N: 450mW
F/max: 0.4MHz
Tmax: 150°C
the BCY16 is a silicon NPN transistor preferred for use in AF amplifier and switch applications especially in high temperature areas
Source: SH Halbleiter DB 1962
Datasheet: BCY16 datasheet (jpg)

BCY17

Si PNP Transistor


OEM: Siemens AG
TO-5
Uce/Ucb: -30/-30V
Ic: -50mA
β (Ic/Ib): 20-50
N: 300mW
F/max: 1.2MHz
Tmax: 150°C
the BCY17 is a silicon PNP transistor preferred for use in AF amplifier applications especially in high temperature areas
Source: SH Halbleiter DB 1962
Datasheet: BCY17 datasheet (jpg)
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