Bipolar transistors data tables / Transistoren Datentabellen

BCY10

Si PNP Transistor


OEM: Valvo GmbH
Va/RD6X15,7@1
Uce/Ucb: -32/-32V
Ic: -0.25A
β (Ic/Ib): 15-40
N: 415mW
F/max: 1.5MHz
Tmax: 150°C
the BCY10 is a silicon PNP AF transistor preferred for use in general purpose applications
Source: Va Valvo Handbuch 1967
Datasheet: BCY10 datasheet (jpg)

BCY11

Si PNP Transistor


OEM: Valvo GmbH
Va/RD6X15,7@1
Uce/Ucb: -60/-60V
Ic: -0.25A
β (Ic/Ib): 15-40
N: 415mW
F/max: 1.5MHz
Tmax: 150°C
the BCY11 is a silicon PNP AF transistor preferred for use in general purpose applications
Source: Va Valvo Handbuch 1967
Datasheet: BCY11 datasheet (jpg)
starting with:

BA..BZ

back forw

BCY12

Si PNP Transistor


OEM: Valvo GmbH
Va/RD6X15,7@1
Uce/Ucb: -32/-32V
Ic: -0.25A
β (Ic/Ib): 15-40
N: 415mW
F/max: 2MHz
Tmax: 150°C
the BCY12 is a silicon PNP AF transistor preferred for use in general purpose applications
Source: Va Valvo Handbuch 1967
Datasheet: BCY12 datasheet (jpg)

BCY13

Si NPN Transistor


OEM: Siemens AG
SH/RD8,6X10,5@CBE
Uce/Ucb: 60/60V
Ic: 0.2A
β (Ic/Ib): >8
N: 450mW
F/max: 0.4MHz
Tmax: 150°C
the BCY13 is a silicon NPN transistor preferred for use in AF amplifier and switch applications especially in high temperature areas
Source: SH Halbleiter DB 1962
Datasheet: BCY13 datasheet (jpg)
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